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上海玉研科學(xué)儀器有限公司
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小動(dòng)物電刺激儀(動(dòng)物驚厥儀)

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小動(dòng)物電刺激儀設(shè)計(jì)用來(lái)誘發(fā)研究動(dòng)物驚厥。根據(jù)不同動(dòng)物不同接觸阻抗,反饋電路可自動(dòng)調(diào)整電流水平,產(chǎn)生一致重復(fù)電流。
公眾號(hào)
產(chǎn)品詳情

電驚厥儀設(shè)計(jì)用來(lái)誘發(fā)研究動(dòng)物驚厥。根據(jù)不同動(dòng)物不同接觸阻抗,反饋電路可自動(dòng)調(diào)整電流水平,產(chǎn)生一致重復(fù)電流。


· 可預(yù)先測(cè)量動(dòng)物的阻抗并顯示,假如阻抗太大導(dǎo)致施加太大的預(yù)期電流,會(huì)有黃燈報(bào)警提示;

· 電驚厥儀標(biāo)準(zhǔn)配備有耳電極;

· 可根據(jù)需要選配角膜電極;
· 一個(gè)可選的雙向單元盒可以安放在動(dòng)物與電驚厥儀之間,間隔地反向脈波,這種情況下頻率會(huì)變?yōu)?00Hz。 


控制面板:

電刺激儀是專為誘導(dǎo)動(dòng)物的抽搐以用于研究,可以從電路與動(dòng)物接觸來(lái)調(diào)整阻抗的差異,反饋電路可以確保每次對(duì)動(dòng)物刺激的一致性。


主要技術(shù)參數(shù):


 頻率

 1-299 pulses/sec.

 可調(diào)時(shí)間

 0.1-9.9 sec.

 順從電壓

 2.5 kV

 電流范圍

 1-99mA

 輸出阻抗

 0 Ohm to 25 kOhm

 脈沖寬度

 0.1 - 0.9 ms.

 脈沖上升和下降時(shí)間

 20 μs

 LED 顯示器

 0 to 199 kOhm




可根據(jù)需要,選擇組織損毀儀:


組織損毀儀

· 恒定的電流能夠確保測(cè)試結(jié)果有良好的重復(fù)性;

· 可用于藥物對(duì)大腦皮層或大腦皮下層區(qū)域引起電休克進(jìn)行精確測(cè)定;

· 持續(xù)的電流等級(jí)通過(guò)反饋電路形成,該電路還可調(diào)節(jié)不同動(dòng)物間不同的阻抗;

· 動(dòng)物阻抗能夠被預(yù)測(cè)試和顯示,并且在阻抗太高而不能發(fā)出理想的電流信號(hào)時(shí),會(huì)自動(dòng)警報(bào)提示。




可以使用標(biāo)準(zhǔn)的電極,也可根據(jù)實(shí)驗(yàn)人員的需要定制電極。有逆變器、雙相單元、雙極型逆變器可選。


主要技術(shù)參數(shù):


電流范圍

10μA-99 mA

馬克斯電極電阻

20 MO (10 μA) down- 2KO (100 mA)

脈沖持續(xù)時(shí)間

1-99 sec. or manually controlled

順從電壓

200V

尺寸

25 x 15 x 11 cm



相關(guān)引用文獻(xiàn):

  •  K.M. Ryan et alia: “Electroconvulsive Stimulation Alters Levels of BDNF-asociated microRNAs” Neuroscience Letters (avaiable May 2013)

  •  N.K. Thomas et alia: “Triheptanoin in Acute Mouse Seizure Models” Epilepsy Research 99(3): 312-317, 2012 

  •  S.A. Epps et alia: “Seizure Susceptibility and Epileptogenesis in a Rat Model of Epilepsy and Depression Co-Morbidity” Neuropsychopharmacol. 37: 2756-2763, 2012 

  •  M. Gasior et alia: “Anticonvulsant and Proconvulsant Actions of 2-deoxy-D-glucose” Epilepsia 1-10, 2010

  •  A.L. Hartman et alia: “Efficacy of the Ketogenic Diet in the 6-Hz Seizure Test” Epilepsia 49(2): 334-339, 2008 

  •  J.E. Ploski et alia: "Electroconvulsive Seizure-Induced Gene Expression Profile of the Hippocampus Dentate Gyrus Granule Cell Layer" J.Neurochemistry 99 (4): 1122-1132, 2006

小動(dòng)物電刺激儀(動(dòng)物驚厥儀)
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021-35183767
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電驚厥儀設(shè)計(jì)用來(lái)誘發(fā)研究動(dòng)物驚厥。根據(jù)不同動(dòng)物不同接觸阻抗,反饋電路可自動(dòng)調(diào)整電流水平,產(chǎn)生一致重復(fù)電流。


· 可預(yù)先測(cè)量動(dòng)物的阻抗并顯示,假如阻抗太大導(dǎo)致施加太大的預(yù)期電流,會(huì)有黃燈報(bào)警提示;

· 電驚厥儀標(biāo)準(zhǔn)配備有耳電極;

· 可根據(jù)需要選配角膜電極;
· 一個(gè)可選的雙向單元盒可以安放在動(dòng)物與電驚厥儀之間,間隔地反向脈波,這種情況下頻率會(huì)變?yōu)?00Hz。 


控制面板:

電刺激儀是專為誘導(dǎo)動(dòng)物的抽搐以用于研究,可以從電路與動(dòng)物接觸來(lái)調(diào)整阻抗的差異,反饋電路可以確保每次對(duì)動(dòng)物刺激的一致性。


主要技術(shù)參數(shù):


 頻率

 1-299 pulses/sec.

 可調(diào)時(shí)間

 0.1-9.9 sec.

 順從電壓

 2.5 kV

 電流范圍

 1-99mA

 輸出阻抗

 0 Ohm to 25 kOhm

 脈沖寬度

 0.1 - 0.9 ms.

 脈沖上升和下降時(shí)間

 20 μs

 LED 顯示器

 0 to 199 kOhm




可根據(jù)需要,選擇組織損毀儀:


組織損毀儀

· 恒定的電流能夠確保測(cè)試結(jié)果有良好的重復(fù)性;

· 可用于藥物對(duì)大腦皮層或大腦皮下層區(qū)域引起電休克進(jìn)行精確測(cè)定;

· 持續(xù)的電流等級(jí)通過(guò)反饋電路形成,該電路還可調(diào)節(jié)不同動(dòng)物間不同的阻抗;

· 動(dòng)物阻抗能夠被預(yù)測(cè)試和顯示,并且在阻抗太高而不能發(fā)出理想的電流信號(hào)時(shí),會(huì)自動(dòng)警報(bào)提示。




可以使用標(biāo)準(zhǔn)的電極,也可根據(jù)實(shí)驗(yàn)人員的需要定制電極。有逆變器、雙相單元、雙極型逆變器可選。


主要技術(shù)參數(shù):


電流范圍

10μA-99 mA

馬克斯電極電阻

20 MO (10 μA) down- 2KO (100 mA)

脈沖持續(xù)時(shí)間

1-99 sec. or manually controlled

順從電壓

200V

尺寸

25 x 15 x 11 cm



相關(guān)引用文獻(xiàn):

  •  K.M. Ryan et alia: “Electroconvulsive Stimulation Alters Levels of BDNF-asociated microRNAs” Neuroscience Letters (avaiable May 2013)

  •  N.K. Thomas et alia: “Triheptanoin in Acute Mouse Seizure Models” Epilepsy Research 99(3): 312-317, 2012 

  •  S.A. Epps et alia: “Seizure Susceptibility and Epileptogenesis in a Rat Model of Epilepsy and Depression Co-Morbidity” Neuropsychopharmacol. 37: 2756-2763, 2012 

  •  M. Gasior et alia: “Anticonvulsant and Proconvulsant Actions of 2-deoxy-D-glucose” Epilepsia 1-10, 2010

  •  A.L. Hartman et alia: “Efficacy of the Ketogenic Diet in the 6-Hz Seizure Test” Epilepsia 49(2): 334-339, 2008 

  •  J.E. Ploski et alia: "Electroconvulsive Seizure-Induced Gene Expression Profile of the Hippocampus Dentate Gyrus Granule Cell Layer" J.Neurochemistry 99 (4): 1122-1132, 2006

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